- MOS structure (metal-oxide-semiconductor structure) (MOS structure)
- Макаров: МОП-структура (структура металл-оксид-полупроводник)
Универсальный англо-русский словарь. Академик.ру. 2011.
MOS structure (metal-oxide-semiconductor structure) (MOS structure)
Смотреть что такое "MOS structure (metal-oxide-semiconductor structure) (MOS structure)" в других словарях:
metal-oxide-semiconductor/silicon-on-sapphire structure — silicio MOP darinys ant safyro statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal oxide semiconductor/silicon on sapphire structure; MOS on sapphire structure vok. MOS/Silizium auf Saphir Struktur, f rus. МОП структура типа кремний на… … Radioelektronikos terminų žodynas
metal-oxide-semiconductor FET — metalo oksido puslaidininkio lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal oxide semiconductor FET; metal oxide semiconductor field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit Metall Oxid Halbleiter Aufbau,… … Radioelektronikos terminų žodynas
metal-oxide-semiconductor field-effect transistor — metalo oksido puslaidininkio lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal oxide semiconductor FET; metal oxide semiconductor field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit Metall Oxid Halbleiter Aufbau,… … Radioelektronikos terminų žodynas
complementary metal-oxide-semiconductor — jungtinis MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. CMOS structure; complementary metal oxide semiconductor; complementary MOS structure vok. CMOS Struktur, f; komplementäre MOS Struktur, f; komplementär symmetrische MOS… … Radioelektronikos terminų žodynas
double-diffused metal-oxide-semiconductor structure — dvikartinės difuzijos MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double diffused metal oxide semiconductor structure; double diffused MOS vok. Doppeldifusions MOS Struktur, f rus. двухдиффузионная структура метал окисел… … Radioelektronikos terminų žodynas
buried-channel metal-oxide-semiconductor — MOP darinys su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit… … Radioelektronikos terminų žodynas
SOS complementary metal-oxide-semiconductor — jungtinis silicio MOP darinys ant safyro statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. complementary MOS on sapphire structure; SOS complementary metal oxide semiconductor vok. CMOS auf Saphir Struktur, f; CMOS Struktur auf Saphirsubstrat … Radioelektronikos terminų žodynas
MOS-Feldeffekttransistor — metalo oksido puslaidininkio lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal oxide semiconductor FET; metal oxide semiconductor field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit Metall Oxid Halbleiter Aufbau,… … Radioelektronikos terminų žodynas
structure MOS complémentaire — jungtinis MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. CMOS structure; complementary metal oxide semiconductor; complementary MOS structure vok. CMOS Struktur, f; komplementäre MOS Struktur, f; komplementär symmetrische MOS… … Radioelektronikos terminų žodynas
structure métal-oxyde-semi-conducteur à double diffusion — dvikartinės difuzijos MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double diffused metal oxide semiconductor structure; double diffused MOS vok. Doppeldifusions MOS Struktur, f rus. двухдиффузионная структура метал окисел… … Radioelektronikos terminų žodynas
MOS-on-sapphire structure — silicio MOP darinys ant safyro statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal oxide semiconductor/silicon on sapphire structure; MOS on sapphire structure vok. MOS/Silizium auf Saphir Struktur, f rus. МОП структура типа кремний на… … Radioelektronikos terminų žodynas
